کتاب و حل‌المسائل نظریه قطعات و مدارهای الکترونیک رابرت بویل‌اشتاد(Boylestad) و لوئیس نشلسکی (Nashelsky) ویرایش یازدهم(2014 و 2013) دهم(2009) نهم(2006) هشتم(2002) و هفتم(1998) (زبان انگلیسی)

توضیحات

کتاب و حل‌المسائل نظریه قطعات و مدارهای الکترونیک رابرت بویل‌اشتاد(Boylestad) و لوئیس نشلسکی (Nashelsky) ویرایش یازدهم(2014 و 2013) دهم(2009) نهم(2006) هشتم(2002) و هفتم(1998) (زبان انگلیسی)

در این مطلب کتاب نظریه قطعات و مدارهای الکترونیک رابرت بویل‌اشتاد(Boylestad) و لوئیس نشلسکی(Nashelsky) ویرایش های یازدهم(2014 و 2013) نهم(2006) و هفتم(1998) و حل‌المسائل ویرایش های یازدهم(2013) دهم(2009) نهم(2006) هشتم(2002) و هفتم(1998) به صورت pdf و زبان انگلیسی جهت دانلود قرار داده شده است. برای ویرایش یازدهم(2013) دو حل‌المسائل قرار داده شده که یکی از حل‌المسائل ها از سایت چگ(Chegg)  تهیه شده است و فصل های 1 تا 17 را پوشش می دهد.

در این مطلب، کتاب « نظریه قطعات و مدارهای الکترونیک » نوشته‌ی رابرت بویل‌اشتاد و لوئیس نشلسکی، به همراه حل‌المسائل آن در ویرایش های زیر به‌صورت PDF و به زبان انگلیسی برای دانلود قرار داده شده است.

کتاب اصلی:

• ویرایش یازدهم (2014 و 2013)
• ویرایش نهم (2006)
• ویرایش هفتم (1998)

حل‌المسائل:

• ویرایش یازدهم (2013): دو حل‌المسائل قرار داده شده است:

1. حل المسائل رسمی: 213 صفحه
2. حل المسائل جامع تهیه‌شده از سایت Chegg تعداد صفحات 1666 صفحه(شامل پاسخ کامل و تشریحی مسائل فصل‌های1 تا 17)

• ویرایش دهم (2009): 372 صفحه
• ویرایش نهم (2006): 191 صفحه
• ویرایش هشتم (2002): 480 صفحه
• ویرایش هفتم (1998): 576 صفحه

 

 

دانلود نمونه رایگان حل‌المسائل Chegg نظریه قطعات و مدارهای الکترونیک رابرت بویل‌اشتاد و لوئیس نشلسکی ویرایش یازدهم

 

دانلود نمونه رایگان حل‌المسائل نظریه قطعات و مدارهای الکترونیک رابرت بویل‌اشتاد و لوئیس نشلسکی ویرایش یازدهم

 

دانلود نمونه رایگان حل‌المسائل نظریه قطعات و مدارهای الکترونیک رابرت بویل‌اشتاد و لوئیس نشلسکی ویرایش دهم

 

دانلود نمونه رایگان حل‌المسائل نظریه قطعات و مدارهای الکترونیک رابرت بویل‌اشتاد و لوئیس نشلسکی ویرایش نهم

 

دانلود نمونه رایگان حل‌المسائل نظریه قطعات و مدارهای الکترونیک رابرت بویل‌اشتاد و لوئیس نشلسکی ویرایش هشتم

 

دانلود نمونه رایگان حل‌المسائل نظریه قطعات و مدارهای الکترونیک رابرت بویل‌اشتاد و لوئیس نشلسکی ویرایش هفتم

 

معرفی کتاب « نظریه قطعات و مدارهای الکترونیک » نوشته‌ی رابرت بویل‌اشتاد و لوئیس نشلسکی

Electronic Devices and Circuit Theory

نویسندگان:

• رابرت بویل‌اشتاد (Robert L. Boylestad)
• لوئیس نشلسکی (Louis Nashelsky)

کتاب « نظریه قطعات و مدارهای الکترونیک » نوشته‌ی رابرت بویل‌اشتاد و لوئیس نشلسکی یکی از بهترین منابع درس الکترونیک ۱ و ۲ در رشته مهندسی برق است. این کتاب به زبان ساده به موضوعاتی مثل دیود، ترانزیستور، تقویت‌کننده‌ها، آپ‌امپ و مدارهای پیشرفته می‌پردازد. این کتاب یکی از معتبرترین و مهمترین کتاب‌های دانشگاهی در زمینه الکترونیک و نظریه مدارهای الکترونیکی است که نزدیک به ۳۰ سال (از دهه ۱۹۸۰ تا کنون) استاندارد تدریس این درس در بسیاری از دانشگاه‌های جهان بوده است.

محتوای کتاب (فهرست مهم‌ترین فصل‌ها):

فصل ۱: دیودهای نیمه‌رسانا معرفی مواد نیمه‌رسانا (سیلیکون، ژرمانیوم، گالیوم آرسناید)، ساختار اتمی، پیوند کووالانسی، نیمه‌رسانای ذاتی و ناخالصی‌دار (نوع n و p)، مشخصه ولتاژ-جریان دیود، اثر دما، مدل‌های دیود (ایده‌آل و واقعی)، ظرفیت خازنی دیود و انواع دیودهای خاص مانند LED و زینر.

فصل ۲: کاربردهای دیود کاربردهای عملی دیود در مدارهای یکسوساز (نیم‌موج، تمام‌موج، پل)، فیلترها (خازنی و سلفی)، محدودکننده‌ها و کلیپرها، دوبلر و تریپلر ولتاژ، مدارهای تنظیم ولتاژ با دیود زینر، و تحلیل مدارهای دیودی با روش‌های تقریبی.

فصل ۳: ترانزیستورهای پیوند دوقطبی (BJT) ساختار فیزیکی BJT (NPN و PNP)، مناطق فعال، قطع و اشباع، مشخصه‌های ورودی و خروجی، پارامترهای h (هیبریدی)، تقویت جریان، توان و ولتاژ، و معرفی مدل‌های معادل BJT.

فصل ۴: بایاس DC ترانزیستورهای BJT روش‌های مختلف بایاس ترانزیستور (ثابت، تقسیم ولتاژ، امیتر ثابت، بازخورد جبری)، نقطه کار (Q-point)، پایداری بایاس در برابر تغییرات دما و β، محاسبه مقاومت‌ها و تحلیل مدارهای بایاس DC.

فصل ۵: تحلیل AC ترانزیستور BJT مدل‌های معادل AC (هیبریدی و re)، تقویت‌کننده‌های تک‌مرحله‌ای (امیتر مشترک، بیس مشترک، کلکتور مشترک)، محاسبه بهره ولتاژ، جریان و توان، امپدانس ورودی و خروجی، و اثر خازن‌های کوپلینگ و بای‌پس.

فصل ۶: ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) معرفی JFET و MOSFET، ساختار فیزیکی، مشخصه‌های انتقال و خروجی، مناطق عملکرد (اشباع، خطی، قطع)، پارامترهای gm، rd، و تفاوت‌های MOSFET با JFET (Enhancement و Depletion).

فصل ۷: بایاس FET روش‌های بایاس JFET و MOSFET (خود-بایاس، تقسیم ولتاژ، بایاس ثابت)، تعیین نقطه کار، پایداری بایاس، و محاسبه مقاومت‌های مدار بایاس برای FETها.

فصل ۸: تقویت‌کننده‌های FET تقویت‌کننده‌های JFET و MOSFET در پیکربندی‌های مختلف (منبع مشترک، گیت مشترک، درین مشترک)، محاسبه بهره، امپدانس ورودی (بسیار بالا در FET)، و مقایسه با BJT از نظر نویز و امپدانس.

فصل ۹: پاسخ فرکانسی BJT و JFET اثر فرکانس بالا و پایین بر بهره، خازن‌های میلر، فرکانس قطع بالا و پایین، پاسخ باند پهن، نمودار بود (Bode plot)، و تحلیل پاسخ فرکانسی تقویت‌کننده‌های تک‌مرحله‌ای.

فصل ۱۰: تقویت‌کننده‌های عملیاتی (آپ‌امپ) معرفی آپ‌امپ ایده‌آل و واقعی، مشخصه‌ها (بهره باز بالا، امپدانس ورودی بالا، خروجی پایین)، پیکربندی‌های پایه (معکوس‌کننده، غیرمعکوس‌کننده، جمع‌کننده، تفاضلی)، و تحلیل مدار با مدل ایده‌آل.

فصل ۱۱: کاربردهای آپ‌امپ فیلترهای فعال (پایین‌گذر، بالاگذر، میان‌گذر، میان‌قطع)، نوسان‌سازها، مقایسه‌کننده‌ها، یکسوساز دقیق، مدارهای لگاریتمی، انتگرال‌گیر و دیفرانسیل‌گیر، و کاربردهای عملی در ابزار دقیق.

فصل ۱۲: تقویت‌کننده‌های قدرت طبقه‌بندی کلاس‌های A، B، AB، C و D، بهره توان، بازده، اعوجاج هارمونیک، تقویت‌کننده‌های پوش-پول، و طراحی مدارهای قدرت با ترانزیستورهای قدرت.

فصل ۱۳: مدارهای مجتمع خطی-دیجیتال آی‌سی‌های خطی (رگولاتور ولتاژ، تایمر ۵۵۵، PLL)، آی‌سی‌های دیجیتال-خطی، مقایسه‌کننده‌ها، و مدارهای ترکیبی خطی-دیجیتال.

فصل ۱۴: مدارهای بازخورد و نوسان‌ساز مفهوم بازخورد (منفی و مثبت)، انواع بازخورد (ولتاژ، جریان، سری، موازی)، پایداری، نوسان‌سازهای RC (فاز شیفت، وین‌بریج)، نوسان‌سازهای LC، کریستالی، و شرایط شروع نوسان.

فصل ۱۵: منابع تغذیه (تنظیم‌کننده‌های ولتاژ) منابع تغذیه خطی و سوئیچینگ، رگولاتورهای سری و شانت، رگولاتورهای ثابت و قابل تنظیم (۷۸xx، LM317)، حفاظت‌ها (اتصال کوتاه، اورهیت)، و اصول طراحی منبع تغذیه.

فصل ۱۶: سایر قطعات دوپایانه دیودهای خاص (شاتکی، واراکتور، تونل، PIN)، فوتودیود و فتوترانزیستور، و سایر قطعات دوترمیناله مانند ترمیستور و وریستور.

فصل ۱۷: قطعات pnpn و سایر قطعات ترایاک، SCR، دیاک، UJT، و کاربردهای آنها در کنترل قدرت، تریگرینگ، و مدارهای سوئیچینگ.

نقاط قوت کتاب:

• توضیحات واضح و گام‌به‌گام (مناسب دانشجویان سال اول و دوم مهندسی برق/الکترونیک)
• تعداد بسیار زیاد مثال حل‌شده و تمرین
• شکل‌ها و نمودارهای رنگی و باکیفیت (در ویرایش‌های جدیدتر)
• پوشش هم تئوری و هم کاربرد عملی
• در بسیاری از دانشگاه‌های ایران و جهان به عنوان کتاب مرجع اصلی درس «الکترونیک ۱ و ۲» استفاده می‌شود.

فهرست مطالب کتاب « نظریه قطعات و مدارهای الکترونیک » نوشته‌ی رابرت بویل‌اشتاد و لوئیس نشلسکی (ویرایش یازدهم – ۲۰۱3)

• پیشگفتار
• فصل اول: دیودهای نیمه‌هادی
• فصل دوم: کاربردهای دیود
• فصل سوم: ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی
• فصل چهارم: بایاس مستقیم جریان — ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی
• فصل پنجم: تحلیل جریان متناوب ترانزیستور پیوندی دوقطبی
• فصل ششم: ترانزیستورهای اثر میدان
• فصل هفتم: بایاس ترانزیستور اثر میدان
• فصل هشتم: تقویت‌کننده‌های ترانزیستور اثر میدان
• فصل نهم: پاسخ فرکانسی ترانزیستور پیوندی دوقطبی و ترانزیستور پیوندی اثر میدان
• فصل دهم: تقویت‌کننده‌های عملیاتی
• فصل یازدهم: کاربردهای تقویت‌کننده عملیاتی
• فصل دوازدهم: تقویت‌کننده‌های توان
• فصل سیزدهم: مدارهای مجتمع خطی-دیجیتال
• فصل چهاردهم: مدارهای بازخورد و نوسان‌ساز
• فصل پانزدهم: رگولاتورهای ولتاژ
• فصل شانزدهم: سایر دستگاه‌های دوپایانه
• فصل هفدهم: دستگاه‌های پی‌ان‌پی‌ان و سایر دستگاه‌ها

پیوست‌ها:

• پیوست الف: پارامترهای هیبریدی — تعیین گرافیکی و مدل‌ها
• پیوست ب: مدل‌های معادل مدار و پارامترهای دیگر
• پیوست ج: نمودارها و جداول
• پیوست د: پاسخ به تمرین‌های منتخب فرد
• و سایر پیوست‌های مرتبط (جداول ثابت‌ها، مشخصات قطعات و غیره)

این ویرایش شامل ۱۷ فصل اصلی است و به‌طور کامل بر موضوعات پایه‌ای مانند دیودها، ترانزیستورهای BJT و FET، تقویت‌کننده‌های عملیاتی، تقویت‌کننده‌های توان، نوسان‌سازها، رگولاتورها و مدارهای فیدبک تمرکز دارد.

فهرست مطالب کتاب Electronic Devices and Circuit Theory نوشته Robert L. Boylestad و Louis Nashelsky 

• پیشگفتار (Preface)
• فصل ۱: دیودهای نیمه‌هادی (Semiconductor Diodes)
• فصل ۲: کاربردهای دیود (Diode Applications)
• فصل ۳: ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی (Bipolar Junction Transistors)
• فصل ۴: بایاس DC — ترانزیستورهای BJT (DC Biasing—BJTs)
• فصل ۵: تحلیل AC ترانزیستور BJT (BJT AC Analysis)
• فصل ۶: ترانزیستورهای اثر میدان (Field-Effect Transistors)
• فصل ۷: بایاس FET (FET Biasing)
• فصل ۸: تقویت‌کننده‌های FET (FET Amplifiers)
• فصل ۹: پاسخ فرکانسی BJT و JFET (BJT and JFET Frequency Response)
• فصل ۱۰: تقویت‌کننده‌های عملیاتی (Operational Amplifiers)
• فصل ۱۱: کاربردهای Op-Amp (Op-Amp Applications)
• فصل ۱۲: تقویت‌کننده‌های توان (Power Amplifiers)
• فصل ۱۳: مدارهای مجتمع خطی-دیجیتال (Linear-Digital ICs)
• فصل ۱۴: مدارهای فیدبک و نوسان‌ساز (Feedback and Oscillator Circuits)
• فصل ۱۵: رگولاتورهای ولتاژ (Voltage Regulators)
• فصل ۱۶: سایر دستگاه‌های دوترمیناله (Other Two-Terminal Devices)
• فصل ۱۷: دستگاه‌های pnpn و سایر دستگاه‌ها (pnpn and Other Devices)

 

توضیح مختصر فهرست مطالب کتاب نظریه قطعات و مدارهای الکترونیک نوشته رابرت ال. بویل‌اشتاد و لوئیس نشلسکی

پیشگفتار

توضیح کلی کتاب، اهداف آموزشی، تغییرات نسبت به ویرایش‌های قبلی، و راهنمایی برای استفاده از کتاب و تمرین‌ها.

فصل اول: دیودهای نیمه‌هادی

معرفی مواد نیمه‌هادی (ژرمانیوم، سیلیکون، گالیم آرسناید)، پیوند کووالانسی، نیمه‌هادی‌های نوع n و p، دیود pn، منحنی مشخصه ولتاژ-جریان دیود، مقاومت دینامیکی، شکست معکوس، دیود زنر، دیودهای نوری (LED، فوتودیود و …) و مدل‌های کامپیوتری دیود.

فصل دوم: کاربردهای دیود

کاربردهای عملی دیودها شامل یکسوسازی نیم‌موج و تمام‌موج، فیلترها، محدودکننده‌ها و کلیپرها، دوبلر و تریپلر ولتاژ، مدارهای زنر برای تنظیم ولتاژ، مدارهای دیودی منطقی، تست دیود و تحلیل کامپیوتری مدارها.

فصل سوم: ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی (BJT)

ساختار فیزیکی BJT (NPN و PNP)، مناطق کاری (فعال، قطع، اشباع)، منحنی‌های مشخصه ورودی و خروجی، پارامترهای h (هایبرید)، مدل‌های معادل BJT و معرفی اولیه به تقویت.

فصل چهارم: بایاس مستقیم جریان — ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی

روش‌های مختلف بایاس BJT شامل بایاس ثابت، بایاس تقسیم ولتاژ، بایاس امیتر ثابت، بایاس بازخوردی جمع‌کننده، تحلیل پایداری بایاس در برابر تغییرات دما و بتا، و مدارهای بایاس چندمرحله‌ای.

فصل پنجم: تحلیل جریان متناوب ترانزیستور پیوندی دوقطبی

مدل‌های کوچک سیگنال BJT، مدار معادل هیبرید-پی، تحلیل تقویت‌کننده‌های تک‌مرحله‌ای (مشترک امیتر، مشترک پایه، مشترک کلکتور)، محاسبه بهره ولتاژ، جریان و توان، امپدانس ورودی و خروجی.

فصل ششم: ترانزیستورهای اثر میدان

معرفی JFET و MOSFET، ساختار فیزیکی، منحنی‌های مشخصه، مناطق کاری (اشباع، خطی، قطع)، پارامترهای مهم (gm، rd، Vp)، تفاوت کانال n و p، و MOSFETهای تقویت (Enhancement) و تخلیه (Depletion).

فصل هفتم: بایاس ترانزیستور اثر میدان

روش‌های بایاس JFET (خود-بایاس، تقسیم ولتاژ، بایاس دروازه ثابت) و MOSFET، تحلیل پایداری بایاس، مدارهای بایاس عملی و مقایسه با بایاس BJT.

فصل هشتم: تقویت‌کننده‌های ترانزیستور اثر میدان

تحلیل کوچک سیگنال JFET و MOSFET، مدارهای معادل، تقویت‌کننده‌های تک‌مرحله‌ای (مشترک منبع، مشترک دروازه، مشترک درین)، محاسبه بهره و امپدانس.

فصل نهم: پاسخ فرکانسی ترانزیستور پیوندی دوقطبی و ترانزیستور پیوندی اثر میدان

اثر ظرفیت‌های پارازیتی، فرکانس قطع (fT، fβ)، پاسخ فرکانسی پایین (به‌خاطر خازن‌های کوپلینگ و بای‌پس)، پاسخ فرکانس بالا، میلر اثر و روش‌های بهبود پهنای باند.

فصل دهم: تقویت‌کننده‌های عملیاتی

معرفی Op-Amp ایده‌آل و واقعی، مشخصه‌های مهم (بهره باز، CMRR، slew rate، ورودی آفست)، مدار تفاضلی پایه، مدارهای BiFET، BiMOS و CMOS، و پایه‌های عملیاتی.

فصل یازدهم: کاربردهای تقویت‌کننده عملیاتی

تقویت‌کننده معکوس و غیرمعکوس، جمع‌کننده، تفاضل‌گیر، انتگرال‌گیر، دیفرانسیل‌گیر، مقایسه‌گر، فیلترهای فعال (پایین‌گذر، بالاگذر، میان‌گذر، میان‌بر)، نوسان‌ساز و کاربردهای دیگر.

فصل دوازدهم: تقویت‌کننده‌های توان

کلاس‌های مختلف تقویت‌کننده توان (A، B، AB، C، D)، تقویت‌کننده‌های تک‌مرحله‌ای و پوش-پول، محاسبه بازده، هارمونیک‌ها، خنک‌کننده و حفاظت مدارها.

فصل سیزدهم: مدارهای مجتمع خطی-دیجیتال

معرفی ICهای خطی و دیجیتال، گیت‌های منطقی، فلیپ‌فلاپ، شمارنده‌ها، مالتی‌پلکسر، دکدر، مدارهای 555 تایمر، و ترکیب خطی-دیجیتال.

فصل چهاردهم: مدارهای بازخورد و نوسان‌ساز

مفهوم بازخورد (مثبت و منفی)، انواع بازخورد (ولتاژ-سری، جریان-موازی و …)، پایداری، معیار بارکهاوزن، نوسان‌سازهای RC (فاز شیفت، وین‌بریج)، نوسان‌ساز کریستالی، و نوسان‌سازهای LC.

فصل پانزدهم: رگولاتورهای ولتاژ

رگولاتورهای سری و شانت، ICهای رگولاتور (78xx، 79xx، LM317)، رگولاتورهای سوئیچینگ، حفاظت در برابر اضافه‌جریان و اضافه‌ولتاژ.

فصل شانزدهم: سایر دستگاه‌های دوپایانه

دیود شاتکی، ورکتور (واریکاپ)، دیودهای تونلی، دیودهای PIN، دیودهای گام‌ریکاوری، فوتودیودها و فتوترانزیستورها، و سایر قطعات خاص.

فصل هفدهم: دستگاه‌های پی‌ان‌پی‌ان و سایر دستگاه‌ها

SCR، ترایاک، دیاک، UJT، IGBT، MOSFET توان بالا، و کاربردهای آنها در کنترل قدرت.

این کتاب یکی از منابع کلاسیک و استاندارد مهندسی برق-الکترونیک است که از مفاهیم پایه نیمه‌هادی شروع کرده و به مدارهای پیچیده‌تر مانند تقویت‌کننده‌های عملیاتی، توان و نوسان‌سازها می‌رسد. هر فصل معمولاً با مثال‌های حل‌شده، تمرین‌های متنوع و تحلیل کامپیوتری (SPICE) همراه است.

اگر دانشجوی مهندسی برق هستید و می‌خواهید الکترونیک پایه را خیلی خوب یاد بگیرید، این کتاب (به‌خصوص ویرایش ۱۱) هنوز یکی از بهترین انتخاب‌هاست و بعد از گذشت بیش از ۱۰ سال از انتشارش، همچنان بسیار پرکاربرد و معتبر است.